YSMR8Q512E
Радиационно-стойкая память | Цифровые ИС
Таблица аналогов и замен — по запросу
Обзор
Этот продукт является радиационно-устойчивой памятью, которая по своим характеристикам соответствует модели UT8Q512E. Он имеет объем 4М, конфигурацию 512Kx8, напряжение 3.3В, время доступа 20нс и общую дозу 100крад(Си). Для получения более подробной информации обратитесь к руководству по данным.
Основные параметры
| Поглощённая доза (крад(Si)) | 100 |
| Корпус | CFP36 |
| Ёмкость | 4M |
| Конфигурация | 512Kx8 |
| Напряжение (В) | 3.3 |
| Время доступа (нс) | 20 |
| Порог SEL (МэВ·см²/мг) | 75 |
Предоставляем по запросу
- Даташит и полный лист параметров (PDF)
- Таблица аналогов: зарубежный / российский аналог → эта модель
- Классы качества YC / YB / QY / CH — по требованию заказчика
- Варианты корпуса и данные радиационных испытаний
- Срок поставки и цена под годовое количество
Запрос цены
Укажите количество — письмо сформируется автоматически; отвечаем в течение одного рабочего дня. Или напишите на [email protected]
Нужен полный даташит или предложение по замене? Напишите нам, указав модель YSMR8Q512E и годовое количество.